Ведущий инженер по разработке силовых полупроводниковых приборов

З/П договорная
Размещено 15 апреля


Условия работы: Пятидневная рабочая неделя (5/2); 8:15 - 18:00, обеденный перерыв 13:00 - 14:30. Оформление в соответствии с трудовым законодательством; Релокационный пакет..Обязанности: Разработка силовых дискретных п/п приборов и модулей на карбиде кремния (SiC); Разработка технологии изготовления п/п структур на SiC; Разработка конструкторской и технологической документации; Исследование электрофизических параметров п/п приборов.Требования:Необходимое образование - Высшее.Опыт работы - От 5 лет.